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VEC2616-TL-W
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.062 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号VEC2616-TL-W
库存编号2563869RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续3A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道3A
在电阻RDS（上）0.062ohm
连续漏极电流 Id P沟道3A
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型VEC
阈值栅源电压最大值2.6V
针脚数8引脚
功耗 Pd900W
耗散功率N沟道900W
耗散功率P沟道900W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
3A
连续漏极电流 Id N沟道
3A
连续漏极电流 Id P沟道
3A
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.6V
功耗 Pd
900W
耗散功率P沟道
900W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.062ohm
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
VEC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
900W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0112