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|---|---|
| 1+ | CNY59.930 (CNY67.7209) |
| 5+ | CNY57.040 (CNY64.4552) |
| 10+ | CNY54.150 (CNY61.1895) |
| 20+ | CNY51.830 (CNY58.5679) |
| 50+ | CNY49.500 (CNY55.935) |
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技术规格
触点类型
DPST-NO (2 Form A)
最大负载电压
200V
MOSFET继电器封装类型
DIP-8
继电器端子
鸥翼
隔离电压
1.5kV
关闭状态泄漏电流(最大)
10nA
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
负载类型
AC / DC
负载电流
50mA
继电器安装
表面安装
通态电阻最大值
50ohm
I/O电容类型
0.8pF
产品范围
PhotoMOS AQW Series
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001412