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产品概述
The HFA3127BZ is a NPN ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
- 3.5dB Noise figure (50Ω) at 1GHz
- <lt/>1pA Collector to collector leakage
- Complete isolation between transistors
技术规格
晶体管极性
五个NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
16引脚
工作温度最高值
125°C
转换频率NPN
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
8V
连续集电极电流NPN
37mA
耗散功率NPN
150mW
直流电流增益hFE最小值NPN
130hFE
晶体管封装类型
SOIC
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
8GHz
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000354