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HIP2101IBZ
MOSFET驱动器双路, 半桥, 9V-14V电源, 2A峰值输出, 3 Ohm输出, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY51.160 (CNY57.8108) |
| 10+ | CNY38.010 (CNY42.9513) |
| 25+ | CNY35.400 (CNY40.002) |
| 50+ | CNY33.280 (CNY37.6064) |
| 100+ | CNY31.150 (CNY35.1995) |
| 250+ | CNY29.570 (CNY33.4141) |
| 500+ | CNY22.330 (CNY25.2329) |
| 1000+ | CNY21.890 (CNY24.7357) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品概述
100V/2A peak, low cost, high frequency half bridge driver suitable for use in telecom half bridge power supplies, avionics DC-DC converters, two-switch forward converters, active clamp forward converters.
- Drives N-channel MOSFET half bridge
- Bootstrap supply max voltage to 114VDC
- Fast propagation times for multi-MHz circuits
- TTL/CMOS input thresholds increase flexibility
- Independent inputs for non-half bridge topologies
- No start-up problems
- Outputs unaffected by supply glitches, HS ringing below ground or HS slewing at high dv/dt
- Low power consumption
- Wide supply range
- Supply undervoltage protection
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
2A
电源电压最小值
9V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
25ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
2A
电源电压最大值
14V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
25ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536