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HIP4082IBZ
驱动器芯片, MOSFET, 全桥, 8.5V-15V电源, 1.4A输出, 25ns延迟, SOIC-16
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| 50+ | CNY19.320 (CNY21.8316) |
| 100+ | CNY18.290 (CNY20.6677) |
| 250+ | CNY18.150 (CNY20.5095) |
| 500+ | CNY18.010 (CNY20.3513) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号HIP4082IBZ
库存编号1561948
技术数据表
通道数4放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置全桥
电源开关类型MOSFET
针脚数16引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流1.4A
灌电流1.3A
电源电压最小值8.5V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-55°C
工作温度最高值125°C
输入延迟40ns
输出延迟25ns
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
HIP4082IBZ是一款中频, 中等电压半桥N沟道MOSFET驱动器芯片。设计用于PWM电机控制和UPS应用, 半桥驱动器采用桥式设计, 简单而且灵活。该器件的工作电压高达80V, 适合中等功率的应用。提供灵活的输入协议, 可以驱动多种开关组合 (除了导致直通条件以外)。低驱动电流, 缩小封装, 并且具有宽可编程死区时间范围 (0.1到4.5ms), 非常适合开关频率高达200kHz的应用。不包含内部电荷泵, 但包含上层驱动电路所需的非锁存电平转换控制。
- 可以单独驱动4个N沟道FET (全桥配置)
- 95VDC 自举电源最大电压
- 可驱动1000pF负载 (1MHz, 50°C自由空气流动)
- 用户可编程死区时间
- DIS (禁用)拉低时, 覆盖输入控制并刷新自举电容器
- Shoot-Through保护
- 欠压保护
警告
超出最大额定值列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
4放大器
驱动配置
全桥
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1.4A
电源电压最小值
8.5V
工作温度最小值
-55°C
输入延迟
40ns
产品范围
-
MSL
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
1.3A
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
25ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
HIP4082IBZ 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000359