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R1LP0408DSB-5SI#S1
SRAM, 异步SRAM，LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8位, TSOP-II, 32 引脚, 4.5 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY89.910 (CNY101.5983) |
| 25+ | CNY87.070 (CNY98.3891) |
| 50+ | CNY84.980 (CNY96.0274) |
| 100+ | CNY82.670 (CNY93.4171) |
| 250+ | CNY80.200 (CNY90.626) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号R1LP0408DSB-5SI#S1
库存编号4146919RL
技术数据表
存储器容量4Mbit
SRAM类型异步SRAM，LPSRAM
存储密度4Mbit
SRAM 内存配置512Kword x 8bit
电源电压范围4.5V 至 5.5V
记忆配置512Kword x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
封装类型TSOP-II
针脚数32引脚
存取时间55ns
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
R1LP0408DSB-5SI#S1 is a 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit). The R1LP0408D series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LP0408D series offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Single 5V supply: 4.5V to 5.5V
- Access time is 55ns (maximum)
- Power dissipation: standby is 4µW (typical)
- Equal access and cycle times
- Common data input and output: three state output
- Directly TTL compatible: all inputs and outputs
- Battery backup operation
- 400-mil 32-pin plastic TSOP (II) package
- Temperature range from -40 to +85°C
技术规格
存储器容量
4Mbit
存储密度
4Mbit
电源电压范围
4.5V 至 5.5V
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
针脚数
32引脚
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SRAM类型
异步SRAM，LPSRAM
SRAM 内存配置
512Kword x 8bit
记忆配置
512Kword x 8位
封装类型
TSOP-II
存取时间
55ns
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001