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2SK3018T106
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, 表面安装
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号2SK3018T106
库存编号1680169RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续100mA
漏源接通状态电阻8ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The 2SK3018T106 is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±100mA continuous drain current. It is suitable for use in interfacing, switching applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- 2.5V Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
2SK3018T106 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003