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BSM600C12P3G201
碳化硅MOSFET, 斩波器, N通道, 600 A, 1.2 kV, Module
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号BSM600C12P3G201
库存编号3573232
技术数据表
MOSFET模块配置斩波器
通道类型N通道
电流, Id 连续600A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻-ohm
晶体管封装类型Module
针脚数-引脚
Rds(on)测试电压-V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散2.46kW
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
BSM600C12P3G201 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical on-state static drain-source voltage (Tj=25°C, ID=600A,VGS=18V)
- 10uA maximum drain cut-off current (VDS=1200V,VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=182mA, Tj=25°C)
- 2.8nF input capacitance typical (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 70ns switching characteristics typical (Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
技术规格
MOSFET模块配置
斩波器
电流, Id 连续
600A
漏源接通状态电阻
-ohm
针脚数
-引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
-V
功率耗散
2.46kW
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.28