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100+ | CNY0.559 (CNY0.6317) |
500+ | CNY0.549 (CNY0.6204) |
1000+ | CNY0.538 (CNY0.6079) |
5000+ | CNY0.527 (CNY0.5955) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTA115EUAT106
库存编号1680189
产品范围DTA115E Series
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R1100kohm
基极-发射极电阻R2100kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-323
射频晶体管封装SOT-323
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值82hFE
产品范围DTA115E Series
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
100kohm
晶体管封装类型
SOT-323
引脚数
3引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益, Hfe 最小值
82hFE
合规
-
MSL
-
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
100kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-323
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
DTA115E Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00003