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DTA123EE3HZGTL
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 100+ | CNY0.860 (CNY0.9718) |
| 500+ | CNY0.720 (CNY0.8136) |
| 1000+ | CNY0.575 (CNY0.6498) |
| 5000+ | CNY0.486 (CNY0.5492) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTA123EE3HZGTL
库存编号4069557
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R12.2kohm
基极-发射极电阻R22.2kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
射频晶体管封装SOT-416
晶体管封装类型SOT-416
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散150mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值20hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
2.2kohm
射频晶体管封装
SOT-416
引脚数
3引脚
功率耗散
150mW
直流电流增益, Hfe 最小值
20hFE
合规
AEC-Q101
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
2.2kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-416
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318