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DTC114EU3HZGT106
晶体管 双极预偏置/数字, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 100+ | CNY0.460 (CNY0.5198) |
| 500+ | CNY0.388 (CNY0.4384) |
| 1000+ | CNY0.316 (CNY0.3571) |
| 5000+ | CNY0.296 (CNY0.3345) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTC114EU3HZGT106
库存编号2948302
产品范围DTC114E Series
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R210kohm
晶体管封装类型SOT-323
射频晶体管封装SOT-323
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
产品范围DTC114E Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-323
引脚数
3引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
10kohm
射频晶体管封装
SOT-323
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
DTC114E Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
DTC114EU3HZGT106 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000032