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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTD114EKT146
库存编号1680296RL
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流500mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SC-59
射频晶体管封装SC-59
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值56hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
产品概述
The DTD114EKT146 is a NPN Digital Transistor designed for inverter, interface, driver and switching circuit applications. The device offers built-in bias resistors enable the configuration of an inverter without connecting external input resistors. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. It also has the advantage of completely eliminating parasitic effects.
- Only the ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
500mA
连续集电极电流
500mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SC-59
引脚数
3引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益, Hfe 最小值
56hFE
合规
-
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SC-59
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000032