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DTD543ZE3TL
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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| 10+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 100+ | CNY1.570 (CNY1.7741) |
| 500+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 1000+ | CNY0.800 (CNY0.904) |
| 5000+ | CNY0.636 (CNY0.7187) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTD543ZE3TL
库存编号4079727
产品范围DTD543Z Series
技术数据表
数字晶体管极性单路PNP
晶体管极性单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射电压, Vceo12V
集电极发射极电压最大值 PNP12V
集电极连续电流500mA
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R14.7kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R210电阻比率
晶体管封装类型SOT-416
射频晶体管封装SOT-416
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散150mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值140hFE
产品范围DTD543Z Series
合规-
汽车质量标准-
技术规格
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
12V
连续集电极电流
500mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-416
引脚数
3引脚
功率耗散
150mW
直流电流增益, Hfe 最小值
140hFE
合规
-
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
12V
集电极连续电流
500mA
基极输入电阻 R1
4.7kohm
电阻比 R1/R2
10电阻比率
射频晶体管封装
SOT-416
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
DTD543Z Series
汽车质量标准
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002