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EM6K6T2R
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
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|---|---|
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| 250+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 1000+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 4000+ | CNY0.955 (CNY1.0792) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号EM6K6T2R
库存编号2706589RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续300mA
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道300mA
在电阻RDS（上）0.7ohm
连续漏极电流 Id P沟道300mA
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.7ohm
Rds(on)测试电压4V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
功耗 Pd150mW
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
300mA
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
连续漏极电流 Id P沟道
300mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4V
晶体管封装类型
SOT-563
功耗 Pd
150mW
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.7ohm
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
漏源导通电阻P沟道
0.7ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003