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EMB11FHAT2R
晶体管 双极预偏置/数字, 双PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
| 10+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 100+ | CNY0.918 (CNY1.0373) |
| 500+ | CNY0.677 (CNY0.765) |
| 1000+ | CNY0.493 (CNY0.5571) |
| 5000+ | CNY0.368 (CNY0.4158) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号EMB11FHAT2R
库存编号2769627
技术数据表
晶体管极性双PNP
数字晶体管极性双路 PNP
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R210kohm
晶体管封装类型SOT-563
射频晶体管封装SOT-563
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散150mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
注释
此产品可用于评估或设计. 请在计划批准此设备时联系您当地的ROHM办公室.
技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-563
引脚数
6引脚
功率耗散
150mW
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
10kohm
射频晶体管封装
SOT-563
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001