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HP8MA2TB1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.0075 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号HP8MA2TB1
库存编号2706747RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续18A
连续漏极电流 Id N沟道18A
在电阻RDS（上）0.0075ohm
连续漏极电流 Id P沟道18A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0075ohm
漏源导通电阻P沟道0.0075ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型HSOP
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd7W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道7W
耗散功率P沟道7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
18A
连续漏极电流 Id P沟道
18A
漏源通态电阻N沟道
0.0075ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
7W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
18A
在电阻RDS（上）
0.0075ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0075ohm
晶体管封装类型
HSOP
功耗 Pd
7W
耗散功率N沟道
7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577