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HP8MB5TB1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
18A
漏源导通电阻P沟道
0.044ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
20W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
16.5A
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
晶体管封装类型
HSOP
耗散功率N沟道
20W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00009