打印页面
HS8MA2TCR1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号HS8MA2TCR1
库存编号3580388RL
技术数据表
晶体管极性N和P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续7A
在电阻RDS（上）0.025ohm
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型DFN3333
针脚数9引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
DFN3333
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
7A
连续漏极电流 Id N沟道
7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
9引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004