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HT8MD5HTB1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.780 (CNY11.0514) |
| 10+ | CNY6.690 (CNY7.5597) |
| 100+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 500+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
| 1000+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
| 5000+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源导通电阻P沟道
0.165ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
13W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
9A
漏源通态电阻N沟道
0.112ohm
晶体管封装类型
HSMT
耗散功率N沟道
13W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006