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QS6M3TR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QS6M3TR
库存编号1525473
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.5A
连续漏极电流 Id P沟道1.5A
漏源通态电阻N沟道0.17ohm
漏源导通电阻P沟道0.17ohm
晶体管封装类型TSMT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.5A
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.5A
漏源通态电阻N沟道
0.17ohm
晶体管封装类型
TSMT
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000014