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QS8J4FRATR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QS8J4FRATR
库存编号2706751RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.04ohm
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型TSMT
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
注释
此产品可用于评估或设计. 请在计划批准此设备时联系您当地的ROHM办公室.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.04ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSMT
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577