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R6003KND3TL1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.620 (CNY9.7406) |
| 10+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 100+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
| 500+ | CNY5.610 (CNY6.3393) |
| 1000+ | CNY5.180 (CNY5.8534) |
| 5000+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号R6003KND3TL1
库存编号3213667
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻1.3ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散44W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
44W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001