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R6507ENJTL
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, 表面安装
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号R6507ENJTL
库存编号3213688
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续7A
漏源接通状态电阻0.605ohm
晶体管封装类型TO-263S
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散78W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7A
晶体管封装类型
TO-263S
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.605ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001