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RGT30NS65DGC9
IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-262, 3 引脚
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| 1+ | CNY22.570 (CNY25.5041) |
| 10+ | CNY11.860 (CNY13.4018) |
| 100+ | CNY10.730 (CNY12.1249) |
| 500+ | CNY9.160 (CNY10.3508) |
| 1000+ | CNY9.120 (CNY10.3056) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RGT30NS65DGC9
库存编号3132321
技术数据表
连续集电极电流30A
集电极-发射极饱和电压1.65V
功率耗散133W
最大集电极发射电压650V
晶体管封装类型TO-262
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
连续集电极电流
30A
功率耗散
133W
晶体管封装类型
TO-262
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
集电极-发射极饱和电压
1.65V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002