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RGTH00TS65GC11
IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY33.760 (CNY38.1488) |
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| 100+ | CNY16.730 (CNY18.9049) |
| 500+ | CNY16.410 (CNY18.5433) |
| 1000+ | CNY16.070 (CNY18.1591) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RGTH00TS65GC11
库存编号2519787
技术数据表
连续集电极电流85A
集电极-发射极饱和电压1.6V
功率耗散277W
最大集电极发射电压650V
晶体管封装类型TO-247N
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
连续集电极电流
85A
功率耗散
277W
晶体管封装类型
TO-247N
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
集电极-发射极饱和电压
1.6V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002