打印页面
RH6G040CHTB1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 135 A, 2500 µohm, HSMT, 表面安装
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.680 (CNY18.8484) |
| 10+ | CNY10.660 (CNY12.0458) |
| 100+ | CNY7.330 (CNY8.2829) |
| 500+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 1000+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
| 5000+ | CNY4.900 (CNY5.537) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY16.68 (CNY18.85 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
135A
晶体管封装类型
HSMT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
93W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001