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RJP020N06T100
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, 表面安装
产品概述
The RJP020N06T100 is a N-channel silicon MOSFET offers 60V drain source voltage and ±2A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
- Low ON-resistance
- 2.5V Low voltage drive
应用
电源管理, 工业
产品信息
技术文档 (1)
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|---|---|---|
| 1+ | CNY5.81 (CNY6.57) | ( ) |
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| 100+ | CNY2.96 (CNY3.34) | ( ) |
| 1000+ | CNY2.28 (CNY2.58) | ( ) |
| 2000+ | CNY2.22 (CNY2.51) | ( ) |
| 10000+ | CNY2.15 (CNY2.43) | ( ) |
| 25000+ | CNY2.09 (CNY2.36) | ( ) |
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1 (切割卷带 1834053) x 5.81 = CNY5.81
总价: CNY5.81
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