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RJP020N06T100
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, 表面安装
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| 500+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RJP020N06T100
库存编号1834053
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.165ohm
晶体管封装类型SOT-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
The RJP020N06T100 is a N-channel silicon MOSFET offers 60V drain source voltage and ±2A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
- Low ON-resistance
- 2.5V Low voltage drive
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-89
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.165ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
RJP020N06T100 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000408