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RK7002BMHZGT116
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 10+ | CNY0.920 (CNY1.0396) |
| 100+ | CNY0.576 (CNY0.6509) |
| 500+ | CNY0.419 (CNY0.4735) |
| 1000+ | CNY0.354 (CNY0.400) |
| 5000+ | CNY0.289 (CNY0.3266) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RK7002BMHZGT116
库存编号2706760
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续250mA
漏源接通状态电阻1.7ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
注释
此产品可用于评估或设计. 请在计划批准此设备时联系您当地的ROHM办公室.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
250mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
RK7002BMHZGT116 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454