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RQ3G100GNTB
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, 表面安装
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| 10+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
| 100+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
| 500+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 1000+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 5000+ | CNY2.090 (CNY2.3617) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RQ3G100GNTB
库存编号2490611
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续10A
漏源接通状态电阻0.011ohm
晶体管封装类型HSMT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
HSMT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577