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RQ3G110ATTB
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.140 (CNY18.2382) |
| 10+ | CNY10.170 (CNY11.4921) |
| 100+ | CNY7.350 (CNY8.3055) |
| 500+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
| 1000+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 5000+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RQ3G110ATTB
库存编号3605702
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻9800µohm
晶体管封装类型HSMT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
HSMT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
9800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577