打印页面
RSM002N06T2L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, 表面安装
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RSM002N06T2L
库存编号2706672
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续250mA
漏源接通状态电阻1.7ohm
晶体管封装类型VMT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散150mW
针脚数3引脚
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
250mA
晶体管封装类型
VMT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150mW
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003316