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RUF015N02TL
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 5+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 10+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 100+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 500+ | CNY1.670 (CNY1.8871) |
| 1000+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 5000+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RUF015N02TL
库存编号1834062
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.5A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型TUMT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散800mW
针脚数3引脚
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.5A
晶体管封装类型
TUMT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008