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RV8C010UNHZGG2CR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 100+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 500+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 1000+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 2500+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 10000+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 50000+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RV8C010UNHZGG2CR
库存编号3586496
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1A
漏源接通状态电阻0.34ohm
晶体管封装类型DFN1010
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
DFN1010
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.34ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00002