打印页面
SCT2750NYTB
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 6 A, 1.7 kV, 0.75欧姆, 18V, 2.8 V
359 有货
需要更多？
359 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY41.290 (CNY46.6577) |
| 50+ | CNY38.560 (CNY43.5728) |
| 100+ | CNY35.830 (CNY40.4879) |
| 250+ | CNY33.090 (CNY37.3917) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 10
多件: 1
CNY412.90 (CNY466.58 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT2750NYTB
库存编号2772413RL
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续6A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻0.75ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
针脚数2引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散57W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
6A
漏源接通状态电阻
0.75ohm
针脚数
2引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
57W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004695