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SCT2H12NYTB
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT2H12NYTB
库存编号2762593
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续4A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻1.15ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
针脚数2引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散44W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
4A
漏源接通状态电阻
1.15ohm
针脚数
2引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
44W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004695