打印页面
SCT4026DRHRC15
碳化硅MOSFET, AEC-Q101, 单, N通道, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
261 有货
需要更多？
261 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY152.400 (CNY172.212) |
| 5+ | CNY138.890 (CNY156.9457) |
| 10+ | CNY125.370 (CNY141.6681) |
| 50+ | CNY116.900 (CNY132.097) |
| 100+ | CNY108.420 (CNY122.5146) |
| 250+ | CNY108.350 (CNY122.4355) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY152.40 (CNY172.21 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT4026DRHRC15
库存编号4064762
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续56A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.8V
功率耗散176W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
56A
漏源接通状态电阻
0.026ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.8V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
176W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003