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SH8J66TB1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
9A
连续漏极电流 Id N沟道
9A
连续漏极电流 Id P沟道
9A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0185ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0135ohm
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000213