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SH8K25GZ0TB1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
产品信息
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
5.2A
连续漏极电流 Id N沟道
5.2A
连续漏极电流 Id P沟道
5.2A
漏源通态电阻N沟道
0.06ohm
漏源导通电阻P沟道
0.06ohm
晶体管封装类型
SOP
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
3W
耗散功率N沟道
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005