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SH8M24TB1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SH8M24TB1
库存编号3976640RL
技术数据表
通道类型N和P沟道
晶体管极性N和P沟道
漏源电压, Vds45V
漏源电压Vds N沟道45V
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds P沟道45V
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型SOP
针脚数8引脚
功耗 Pd3.1W
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压, Vds
45V
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
3.1W
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
45V
漏源电压Vds P沟道
45V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005