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SP8K22FRATB
双路场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SP8K22FRATB
库存编号2886635RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道45V
漏源电压, Vds45V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道45V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
45V
电流, Id 连续
4.5A
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
45V
漏源电压Vds P沟道
45V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005