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SP8M24HZGTB
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
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| 100+ | CNY8.080 (CNY9.1304) |
| 500+ | CNY6.780 (CNY7.6614) |
| 1000+ | CNY6.770 (CNY7.6501) |
| 5000+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SP8M24HZGTB
库存编号3287359
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道45V
漏源电压Vds P沟道45V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型SOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
45V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
45V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOP
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005