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SP8M3HZGTB
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SP8M3HZGTB
库存编号3580405RL
技术数据表
晶体管极性N和P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.036ohm
连续漏极电流 Id N沟道5A
连续漏极电流 Id P沟道5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.036ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.036ohm
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
5A
在电阻RDS（上）
0.036ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.036ohm
漏源导通电阻P沟道
0.036ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000635