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UM6K31NFHATCN
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UM6K31NFHATCN
库存编号2576217RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续250mA
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）1.7ohm
连续漏极电流 Id N沟道250mA
连续漏极电流 Id P沟道250mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1.7ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道1.7ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值2.3V
针脚数6引脚
功耗 Pd150mW
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
注释
此产品可用于评估或设计. 请在计划批准此设备时联系您当地的ROHM办公室.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
250mA
在电阻RDS（上）
1.7ohm
连续漏极电流 Id P沟道
250mA
漏源通态电阻N沟道
1.7ohm
漏源导通电阻P沟道
1.7ohm
阈值栅源电压最大值
2.3V
功耗 Pd
150mW
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
250mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.025