打印页面
UM6K31NTN
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
包装选项
2,600 有货
需要更多？
2600 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 10+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 100+ | CNY0.785 (CNY0.887) |
| 500+ | CNY0.718 (CNY0.8113) |
| 1000+ | CNY0.650 (CNY0.7345) |
| 5000+ | CNY0.583 (CNY0.6588) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY14.60 (CNY16.50 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UM6K31NTN
库存编号2706715
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道250mA
连续漏极电流 Id P沟道250mA
漏源通态电阻N沟道1.7ohm
漏源导通电阻P沟道1.7ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
250mA
漏源导通电阻P沟道
1.7ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
250mA
漏源通态电阻N沟道
1.7ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005