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UMX1NTN
双极晶体管阵列, 双路, 双NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY0.650 (CNY0.7345) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UMX1NTN
库存编号1680410
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN150mA
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN150mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN120hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN180MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The UMX1NTN is a dual NPN general purpose amplification Bipolar Transistor with epitaxial planar type NPN silicon structure. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
- Transistor elements are independent, eliminating interference
警告
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技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
集电极发射极电压最大值NPN
50V
连续集电极电流NPN
150mA
耗散功率NPN
150mW
直流电流增益hFE最小值NPN
120hFE
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
180MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000136