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US6J11TR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.19 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号US6J11TR
库存编号2706718RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
电流, Id 连续1.3A
漏源电压Vds P沟道12V
在电阻RDS（上）0.19ohm
连续漏极电流 Id N沟道1.3A
连续漏极电流 Id P沟道1.3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.19ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.19ohm
晶体管封装类型TUMT
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd1W
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
12V
电流, Id 连续
1.3A
在电阻RDS（上）
0.19ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.3A
漏源通态电阻N沟道
0.19ohm
漏源导通电阻P沟道
0.19ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1W
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
1.3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TUMT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005