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US6M1TR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 1 A, 0.38 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.470 (CNY8.4411) |
| 10+ | CNY3.840 (CNY4.3392) |
| 100+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 500+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 1000+ | CNY1.670 (CNY1.8871) |
| 5000+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号US6M1TR
库存编号1525602
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道1A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.38ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TUMT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
1A
漏源通态电阻N沟道
0.38ohm
晶体管封装类型
TUMT
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008