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UT6MA3TCR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UT6MA3TCR
库存编号2706783RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续5.5A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
5.5A
在电阻RDS（上）
0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
晶体管封装类型
DFN
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012