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SKM150GB12V
IGBT模块, 半桥, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
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| 5+ | CNY1,027.810 (CNY1,161.4253) |
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产品信息
制造商SEMIKRON
制造商产品编号SKM150GB12V
库存编号2423689
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流231A
集电极-发射极饱和电压1.75V
功率耗散-
工作温度最高值175°C
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术V-IGBT
晶体管安装面板
产品范围-
产品概述
SKM150GB12V 是一款SEMITRANS® 2 IGBT模块, 适用于AC逆变器驱动和电子焊机。带有绝缘绝缘铜基, 采用DBC技术 (直接铜结合), 具有增强功率周期性能力。
- 半桥开关
- V-IGBT = 第六代Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 =软切换第4代CAL-二极管
- 集成栅极电阻
- 高di/dt时, 超级开关损耗
- UL认证, file number E63532
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.75V
工作温度最高值
175°C
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
连续集电极电流
231A
功率耗散
-
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
V-IGBT
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.18